- Módulo de memória Kingston KVR16R11S4/8 de 8 GB DDR3 com frequência de trabalho de 1600 MHz com ECC e registrada.
- As Memórias Kingston são projetadas e baseadas nas especificações de memória DDR3 mais recentes do mercado, garantindo a integridade e eficiência de seu funcionamento em 1600 MHz.
- Módulo DDR3-1600 com clock CL11 SDRAM (Synchronous DRAM), memória 1RX4.
- O SPD é programado para JEDEC padrão com latência de DDR3-1333 11-11-11 até 1,5 V.
- Memória com ECC, sensor de temperatura e registrada.
- Este módulo de memória só funciona em máquinas servidoras ou workstations (suportam ECC). Não funciona em máquinas que utilizam memórias DDR3 comuns (sem ECC).
Características técnicas:
- Código do produto no fabricante: kVR16R11S4/8
- Memória: (Synchronous DRAM)
- Capacidade de armazenamento: 8 GB
- Tecnologia: PC3-12800
- Velocidade de clock (1600 MHz)
- Arquitetura: DDR-3
- Quantidade de pinos: 240 vias
- Latência de CAS (CL): CL11
- Memória com ECC registrada
- Tensão de alimentação (Vdd): 1,5 V
- Tipo de Burst: interleave e sequencial
- Consumo de energia: 5,196 W
- Pré busca (Pre-fetch): 8 bits
- Terminação Die: usando pinos ODT
- Sensor de temperatura com SPD integrado
- Diferencial de strobe de dados: Bi-direcional
- Taxa UL: 94 V - 0
- Dimensões da embalagem:16 / 4,7 cm (Comp / Larg)
Latência:
- CAS programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6
- Tempo de latência: 11-11-11
- Aditivo programável: 0, CL - 2 ou CL - 1 clock
Tempo da memoria:
- Tempo linha Ciclo (tRCmin): 48.125 ns (mínimo)
- Atualização para Active/Refresh (Tempo de comando (tRFCmin) : 260 ns (minimo)
- Tempo linha Active (tRASmin): 35 ns (minimo)
Energia:
- VDDQ: 1.2 V (1.14 V a 1.26 V)
- JEDEC standard: 1.5 V (1.425 V ~ 1.575 V)
Ambiente:
- Temperatura de operação: 0º a 85º C
- Temperatura em armazenamento: - 55º a 100º C
