- Módulo de memória SODIMM, para notebook, de 4 GB DDR4 de 2666 MHz, Kingston KVR26S19S6/4.
- Memória com 260 pinos DDR4 SDRAM (Synchronous DRAM).
- Possui 8 bancos internos independentes divididos em 2 grupos com 4 bancos.
- SPD programado para a latência padrão DDR4-2666 de 19-19-19 em 1.2 V.
- As Memórias Kingston são projetadas e baseadas nas especificações de memória DDR4 mais recentes do mercado, garantindo a integridade e eficiência de seu funcionamento.
- Não tem ECC e não é registrada.
- Produto com garantia Life time com a Kingston do Brasil. A retirada do selo de identificação da memória implica na perda da garantia.
Características técnicas:
- Código do produto no fabricante: KVR26S19S6/4
- Capacidade de armazenamento de dados: 4 GB
- Tipo de memória: 260 pinos DDR4 SDRAM (Synchronous DRAM)
- Frequência de trabalho (velocidade): 2666 MHz (pc4-21300)
- Soquete: 260 pinos
- Formato: SODIMM
- Latência: CL19
- Bancos internos independentes: 8
- Grupos de bancos: 2
- Tempo de ciclos (tRCmin): 45,75 ns (min.)
- Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFC): 350 ns (min.)
- Row Active Time (tRAS): 32 ns (min.)
- UL Rating 94 V - 0
- On-Die termination (ODT)
- Tensão de alimentação: 1,2 V
- Dimensões do módulo: 6,8 / 3 cm (Larg / Alt)
- Dimensões da embalagem: 4,7 / 8 cm (Larg / Alt)
Energia:
- VDDQ: 1.2 V (tipico)
- VPP: - 2.5 V (tipico)
- VDDSPD: 2.2 V a 3.6 V
