- Módulo de memória Kingston KVR16E11S8-4 com 4 GB de armazenamento com frequência de trabalho de 1600 MHz com ECC não buferizada (não registrada).
- As Memórias Kingston são projetadas e baseadas nas especificações de memória DDR3 mais recentes do mercado, garantindo a integridade e eficiência de seu funcionamento em 1600 MHz.
- Módulo DDR3-1600 com clock CL11 SDRAM (Synchronous DRAM), memória 1RX8.
- O SPD é programado para JEDEC padrão com latência de DDR3-1333 11-11-11 até 1,5V.
- Contatos em ouro 24 Kilates.
- Memória com ECC e sensor de temperatura não registrada.
- Este módulo de memória só funciona em máquinas servidoras ou workstations (suportam ECC). Não funciona em máquinas que utilizam memórias DDR3 comuns (sem ECC).
Características técnicas:
- Código do produto no fabricante: KVR16E11S8/4
- Memória: (Synchronous DRAM)
- Capacidade de armazenamento: 4 GB
- Tecnologia: PC3-12800
- Velocidade de clock (1600 MHz)
- Arquitetura: DDR-3
- Quantidade de pinos: 240 vias
- Latência de CAS (CL): CL11
- Memória com ECC
- Memória não registrada (Unbuffered)
- Tensão de alimentação (Vdd): 1,5 V
- Tipo de Burst: interleave e sequencial
- Consumo de energia: 2,025 W
- Temperatura de Operação: 0 a 85º C
Latência:
- CAS programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6
- Tempo de latência: 11-11-11
- Aditivo programável: 0, CL - 2 ou CL - 1 clock
Tempo da memoria:
- Tempo linha Ciclo (tRCmin): 48.125 ns (mínimo)
- Atualização para Active/Refresh (Tempo de comando (tRFCmin) : 260 ns (minimo)
- Tempo linha Active (tRASmin): 35 ns (minimo)
