- Modulo de memória de 8GB,Kingston DDR3 1333MHz, modelo KVR13E9/8I, com ECC. Desenvolvida para servidores compatíveis com esse modelo.
- Compatível somente com servidores compatíveis com memórias DDR3 de 1333 MHz que necessitem de memórias com ECC não buferizadas.
- Memória com ECC mas não buferizada
- Latencia de CAS (CL): 9
Características técnicas:
- Código do produto no fabricante: KVR13E9/8I
- Capacidade de armazenamento: 8GB
- Tipo de memória: DDR3 SDRAM com 240 pinos
- Velocidade: 1333 MHz
- Latencia de CAS (CL): 9
- Tensão de alimentação: 1,5V
- Compatibilidade de correção de erros: ECC (não buferizada e não registrada)
- Bancos internos de memória: 8
- Latência de CAS programável: 9,8,7,6
- Latência de Aditivo programável: 0, CL-2 ou CL-1 clock
- Latência de CAS em gravação programável (CWL): 7 (DDR3-1333)
- Pre-fetch (pré busca): 8 bits
- Burst Length: 8 (Interleave sem qualquer limite, seqüencial com somente endereço de partida "000". tCCD = 4 (não permite gravação e leitura perfeita).
- Diferencial de strobe de dados: Bi-direcional
- Sensor térmico: Grau B
- Auto calibração interna: através de ZQ, pinos (RZQ: 240 ohm ± 1%)
- Terminação Die: usando pino ODT
- Média de atualização: 7,8us (período inferior do TCASE de 85 °C), 3,9us a 85 °C
- Tipo de reset: assíncrono
- Placa de circuito impreço (PCB): Altura 1,18 "(30mm),
- Disposição dos componentes: dupla face (9 chips de cada lado)
- CL (Latência de CAS)(IDD): 9 ciclos
- Row Cycle Time (tempo de ciclo na linha da matriz) (tRCmin) 49.5ns (min.)
- Refresh to Active/Refresh, Command Time (tRFCmin) : 260ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin): 36ns (min.)
- Potência máxima de operação: Power 2,76 W
- Classificação UL: 94 V - 0
- Temperatura operacional: 0 °C até 85 °C
- Temperatura de armazenamento: -55 °C até +100 °C
- Altura do módulo: 30 mm
