- Módulo de memória com 8GB 1600MHz DDR3 ( PC3-12800) Kingston HyperX KHX1600C10D3B1/8G
- Módulo de memória para ser usado em desktop e workstation que não necessitem de módulos com ECC ou registradas.
- Módulo composto de 16 chips de 512 Mbit X FBGA 8 bits
- Disposição das memórias de 1024M x 64-bit (8GB)
- Módulo DDR3-1600 com clock CL9 SDRAM (Synchronous DRAM), memória 2RX8
- Suporta Intel XMP (Extreme Memory Profiles)
- Este módulo foi testado para ser executado em DDR3-1600 em uma baixa latência de tempo
tempo de 10-10-10 em 1.65V.
- O SPD é programado para JEDEC padrão com latência de DDR3-1333 9-9-9 até 1,5V.
- Contatos em ouro 24 Kilates.
Características técnicas:
- Código do produto no fabricante: KHX1600C10D3B1/8G
- Capacidade de armazenamento: 8GB
- Frequencia de trabalho: 1600 MHz (funciona também em 1333 MHz)
- Tipo de memória: DDR3 PC3-12800
- DRAM síncrona: CL9
- Arquitetura do módulo: 1024M x 64-bit (8GB)
- Disposição dos components: 16 chips dispostos nos 2 lados, de 512 Mbit X FBGA 8 bits
- Latência de tempo: tempo de 9-8-8 em 1.65V.
- JEDEC padrão (Fonte de alimentação): 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
- VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
- FCK para 1333Mb/seg/pino: 667MHz
- Bancos internos: 8 independentes
- Latência de CAS Programável: 9, 8, 7, 6
- Aditivo de latência programável: 0, CL - 2 ou CL - 1 clock
- Gravação de latência de CAS programável(CWL): = 7 (DDR3-1333)
• Pré-busca (Pre-fetch): 8-bit
• Burst Length: 8 (Interleave, sem qualquer limite, seqüencial com endereço inicial de "000" apenas), 4 com tCCD = 4, que não permitir perfeita ler ou escrever (ou em tempo real usando A12 ou MRS).
- Strobe de dados: diferencial bi-direcional
- Calibração interna: auto-calibração interna através do pino ZQ RZQ: 240 ohm ± 1%)
- Terminação: Die usando ODT pin
- Tempo médio de atualização (Refresh): 7.8us com TCASE em 85°C, 3.9us a 85°C
- Reset: assíncrono
- Altura do módulo (PCB): 30 mm de Altura
Parametros de tempo para Intel XMP:
- JEDEC: DDR3-1333 CL9-9-9 @1.5V
- XMP Profile #1: D3-1600 CL9-9-9 @1.5V
Especificações técnicas:
- CL(IDD): 9 cycles
- Row Cycle Time (tRCmin): 49.5ns (min.)
- Refresh to Active/Refresh: 260ns (min.) Command Time (tRFCmin)
- Row Active Time (tRASmin): 36ns (min.)
- Consumo máximo de energia: 2,46W
- UL Rating: 94V - 0
- Temeperatura de operação: 0°C até 85°C
- Temperatura de armazenagem: -55°C até +100 °C
